光刻胶，也被称为光致抗蚀剂，是一种感光材料，用于半导体制造中的光刻环节。它在特定光源（如紫外光、电子束、离子束、X射线等）的照射或辐射下，其溶解度会发生变化。光刻胶主要由感光树脂、增感剂和溶剂组成，是一种对光敏感的混合液体。
在光刻工艺中，光刻胶用作抗腐蚀涂层材料，通过曝光、显影及刻蚀等一系列步骤，可以将掩膜板上的图形转移到基片上，进而在半导体材料表面制造出所需的电路图案。
光刻胶的种类主要根据感光树脂的化学结构分为正光刻胶和负光刻胶两种。正光刻胶在未被光照的部分在显影后会被保留，而负光刻胶被感光的部分在显影后会被保留。
需要注意的是，光刻胶需要在特殊条件下保存，通常是遮光器皿中，以确保其性质稳定
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