光刻胶，又称光致抗蚀剂，是一种 对光敏感的混合液体，主要用于半导体制造过程中的光刻工艺。它通过紫外线、电子束、离子束或X射线的照射或辐射，其溶解度发生变化，从而在光刻工艺中用作抗腐蚀涂层材料。光刻胶的主要成分包括感光树脂、增感剂和溶剂。
在光刻工艺过程中，光刻胶被均匀涂布在硅片、玻璃或金属等衬底上，经过曝光、显影和蚀刻等工序，将掩膜版上的图形转移到薄膜上，形成与掩膜版完全对应的几何图形。根据曝光波长的不同，光刻胶可分为普通宽普光刻胶、g线（436nm）、i线（365nm）、KrF（248nm）、ArF（193nm）及最先进的EUV（<13.5nm）光刻胶，等级越往上其极限分辨率越高，同一面积的硅晶圆布线密度就越大，性能越好。
光刻胶的技术壁垒较高，具有纯度要求高、生产工艺复杂、生产及检测等设备投资大、技术积累期长等特征。目前，我国中低端光刻胶产品在全球占有一席之地，但高端光刻胶相对进展缓慢。
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