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1.一般硅片是P形硅片,标准是1-3Ω*cm
2.电阻率过大说明硅片掺杂偏少,或者硅片基体含有补偿性杂质,如磷、氧等施主元素偏多。前者导致开压Voc低,短路电流Isc高,转换效率Eta不好说;后者不仅开压低而且短路电流低,转换效率一定低。
3.电阻率过小说明硅片掺杂B偏多,或者硅片基体含有金属杂质偏多,如铁、铝等。前者导致开压Voc高,短路电流Isc低,转换效率Eta不好说;后者形成深能级杂质,导致不仅开压低且短路电流低且填充因子低,转换效率一定低。
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硅片的电阻率指的是硅片材料本身的电阻大小,通常用欧姆·厘米(Ω·cm)作为单位来表示。它是表示硅片导电性能的重要参数之一,与硅片的掺杂类型、掺杂浓度等因素有关。硅片的电阻率越小,导电性能越好,适用于制造高速操作的半导体器件,如集成电路等。
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硅片标准电阻率是1-3Ω*cm ².电阻率过大说明硅片掺杂偏少,或者硅片基体含有补偿性杂质,如磷、氧等。
电阻率是用来表示各种物质电阻特性的物理量。某种物质所制成的原件(常温下20°C)的电阻与横截面积的乘积与长度的比值叫做这种物质的电阻率。电阻率与导体的长度、横截面积等因素无关,是导体材料本身的电学性质,由导体的材料决定,且与温度、压力、磁场等外界因素有关。
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本文概览:1.一般硅片是P形硅片,标准是1-3Ω*cm2.电阻率过大说明硅片掺杂偏少,或者硅片基体含有补偿性杂质,如磷、氧等施主元素偏多。前者导致开压Voc低,短路电流Isc高,转换效率Eta不好说;后者不仅开压低而且短路电流低,转换效率一定低。3.电阻率过小说明硅片掺杂B偏多,或者硅片基体含有金属杂质偏多,如铁、铝等。前者导致开压Voc高,短路电流Isc低,转换效率Eta不好说;后者形成深能级杂质,导致不仅开压低且短路电流低且填充因子低,转换效率一定低。