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按照存储信息的不同,随机存储器分为静态随机存储器(StaticRAM,SRAM)和动态随机存储器(DynamicRAM,DRAM)。
静态存储单元(SRAM) ●存储原理:由触发器存储数据 ●单元结构:六管NMOS或OS构成 ●优点:速度快、使用简单、不需刷新、静态功耗极低;常用作Cache ●缺点:元件数多、集成度低、运行功耗大 ●常用的SRAM集成芯片:6116(2K×8位),6264(8K×8位),62256(32K×8位),2114(1K×4位)动态存储单元(DRAM) ●存贮原理:利用MOS管栅极电容可以存储电荷的原理,需刷新(早期:三管基本单元;现在:单管基本单元) ●刷新(再生):为及时补充漏掉的电荷以避免存储的信息丢失,必须定时给栅极电容补充电荷的操作 ●刷新时间:定期进行刷新操作的时间。该时间必须小于栅极电容自然保持信息的时间(小于2ms)。 ●优点:集成度远高于SRAM、功耗低,价格也低 ●缺点:因需刷新而使外围电路复杂;刷新也使存取速度较DRAM慢,所以在计算机中,SRAM常用于作主存储器。 尽管如此,由于DRAM存储单元的结构简单,所用元件少,集成度高,功耗低,所以目前已成为大容量RAM的主流产品。
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本文概览:按照存储信息的不同,随机存储器分为静态随机存储器(StaticRAM,SRAM)和动态随机存储器(DynamicRAM,DRAM)。静态存储单元(SRAM) ●存储原理:由触发器存储数据 ●单元结构:六管NMOS或OS构成 ●优点:速度快、使用简单、不需刷新、静态功耗极低;常用作Cache ●缺点:元件数多、集成度低、运行功耗大 ●常用的SRAM集成芯片:6116(2K×8位),6264(8K×8位),62256(32K×8位),2114(1K×4位)动态存储单元(DRAM) ●存贮原理:利用MOS管栅极