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导带底的等能面是球形等能面，导带底附近的能态密度函数为Nc(E)=(1/2π2) (2m*/ħ2)3/2 (E－Ec)1/2 ∝ (E－Ec)1/2 。
(2)对于实际Si和Ge的导带底，因是旋转椭球等能面 (s个)，并且存在有纵向有效质量ml*和横向有效质量mt*，则根据 E(k) = Ec + (ħ2/2) { [(k12+k22) / mt*] + [k32/ml*] } ，同样可求得以上形式的Nc(E)，但其中的有效质量m*应该代之为所谓导带底电子的状态密度有效质量 mdn* = (s2ml mt2)1/3。
对于价带顶附近空穴的能态密度函数，类似地可求得为 Nv(E) = (1/2π2) (2m*/ ħ2)3/2 (Ev－E)1/2 ∝ (Ev－E)1/2 ，其中价带顶空穴的状态密度有效质量为 mdp* = [ (m*)l3/2 + (m*)h3/2 ]2/3，(m*)l和(m*)h分别是轻空穴和重空穴的有效质量。
对于Si：s=6, mdn=1.08mo；mdp=0.59mo 。
对于Ge：s=4, mdv=0.56mo；mdp=0.37mo。
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anhuixinwenchubanzhiyejis
2026-10-06 00:12:29
态密度是指某一确定能量范围（例如频率或波矢）内的量子态总数，而有效质量是指某个能带中电子的运动参量。
在某个能带中，电子的动能表达式可用单位质量电子的能量来表示，而有效质量即为此表达式的二阶导数。
因此，要计算态密度有效质量，需要先获得此能带内的能级分布情况，从而得到态密度，再代入动能表达式中计算有效质量。
因为不同材料的能带结构不同，而且计算过程较为复杂，所以具体计算方法需要参考相关文献。
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评论列表（4条）
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本文概览：导带底的等能面是球形等能面，导带底附近的能态密度函数为Nc(E)=(1/2π2) (2m*/ħ2)3/2 (E－Ec)1/2 ∝ (E－Ec)1/2 。 (2)对于实际Si和Ge的导带底，因是旋转椭球等能面 (s个)，并且存在有纵向有效质量ml*和横向有效质量mt*，则根据 E(k) = Ec + (ħ2/2) { [(k12+k22) / mt*] + [k32/ml*] } ，同样可求得以上形式的Nc(E)，但其中的有效质量m*应该代之为所谓导带底电子的状态密度有效质量 mdn* = (s2ml mt