问问题描述
ICEO是什么，有没有大佬在？求高手帮忙看看这个！
答精选答案
1）Iceo是当基极b开路时，在CE端接正向电压所得一恒定（当温度一定）电流，名曰穿透电流。
2）lcbo是当发射极开路，CB端接反向电压所得恒定（当温度一定）电流，名曰集电结反偏电流。
3）lceo产生原因：当Vce为正电压，电势主要加在集电结上，这使得集电结反向偏置，从而会在集电结两端产生漂移电荷Qcb，飘移电荷漂移至基区使得基区电势提升。当电荷积累到一定程度，会使得发射结正向偏置电压高到足以导通发射结，此时发射区电子扩散至基区，（基区的部分空穴扩散至发射极在此忽略，不忽略也不影响最终关系）少部分电子与空穴复合，而大部分电子飘移至极电区，它们两之间的数量比近似为1：β。则有βQcb的电子穿越集电结。设这一过程用时为T则Iceo=（1+β）Qcb/T，而飘移速率Qcb/T基本恒定，且等于lcbo。所以lceo=(1+β)lcbo
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希望本篇文章《ICEO是什么》能对你有所帮助！
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本文概览：1）Iceo是当基极b开路时，在CE端接正向电压所得一恒定（当温度一定）电流，名曰穿透电流。2）lcbo是当发射极开路，CB端接反向电压所得恒定（当温度一定）电流，名曰集电结反偏电流。3）lceo产生原因：当Vce为正电压，电势主要加在集电结上，这使得集电结反向偏置，从而会在集电结两端产生漂移电荷Qcb，飘移电荷漂移至基区使得基区电势提升。当电荷积累到一定程度，会使得发射结正向偏置电压高到足以导通发射结，此时发射区电子扩散至基区，（基区的部分空穴扩散至发射极在此忽略，不忽略也不影响最终关系）少部分电子与空