半导体镀金工艺流程

1)闭合清洗剂液槽，恒温后确认清洗剂液槽液温为60±5℃；

2)闭合本镀金槽加热器电源，给相应药液升温；确认本镀液槽液温为60～65℃；闭合电镀用电源；

3)将待镀金硅叠装上专用夹具；

4)脱脂：确认清洗剂液槽液温为60±5℃，将夹具置于清洗剂中浸泡5±1min；

5)水洗：将夹具在纯水槽中冲洗25s，并用手不断上下摆动夹具；

6)酸洗：将夹具在盐酸槽中浸泡60±5s；

7)水洗：将夹具置于纯水槽中冲洗25s；

8)预镀：将夹具置于预镀液槽中，电镀25s；控制电镀电源电压为3.35±0.01v；

9)本镀：确认本镀液槽液温为60～65℃，将夹具置于本镀槽中，本镀2.0±0.5min,调整电镀电源电流为0.6±0.1a，电镀电压不定；

10)后处理：将夹具依次转入两级水洗槽中，每级水槽各清洗25s；

11)脱水干燥：将夹具转入甲醇槽，浸泡60s；然后置于红外线烘箱中，干燥5min。