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二极管Vj为结电压，Id为二极管总电流，Is为反向饱和电流，q为电子电荷，n为理想因子，A为结面积，A**为有效理查德森常数，T为绝对温度，φb为势垒高度，kB为波尔兹曼常数。
在正向偏置条件下，金属-砷化镓界面的电子输运机制包括热电子发射、空间电荷区的复合以及中性区的复合。在反向偏置条件下，电子输运机制为量子隧穿效应。对于良好的金半接触，热电子发射为主要的输运机制。
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本文概览：二极管Vj为结电压，Id为二极管总电流，Is为反向饱和电流，q为电子电荷，n为理想因子，A为结面积，A**为有效理查德森常数，T为绝对温度，φb为势垒高度，kB为波尔兹曼常数。在正向偏置条件下，金属-砷化镓界面的电子输运机制包括热电子发射、空间电荷区的复合以及中性区的复合。在反向偏置条件下，电子输运机制为量子隧穿效应。对于良好的金半接触，热电子发射为主要的输运机制。