问问题描述
半导体中刻蚀epd原理，跪求大佬救命，卡在这里动不了了！
答精选答案
蚀刻原理
在氯化铜溶液中加入氨水，发生络合反应，
cucl2+4nh3→cu(nh3)4cl2 在蚀刻过程中，基板上面的铜被〔cu(nh3)4〕2+络离子氧化，
其蚀刻反应：cu(nh3)4cl2+cu→2cu(nh3)2cl所生成的〔cu(nh3)2〕1+不具有蚀刻能力，在过量的氨水和氯离子存在的情况下，能很快地被空气中的氧所氧化，生成具有蚀刻能力的〔cu(nh3)4〕2+络离子，其再生反应如下：
2cu(nh3)2cl+2nh4cl+2nh3+1/2o2 →2cu(nh3)4cl+h2o所以在蚀刻时，应不断补加氨水和氯化铵，也称子液.
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本文概览：蚀刻原理在氯化铜溶液中加入氨水，发生络合反应， cucl2+4nh3→cu(nh3)4cl2 在蚀刻过程中，基板上面的铜被〔cu(nh3)4〕2+络离子氧化，其蚀刻反应：cu(nh3)4cl2+cu→2cu(nh3)2cl所生成的〔cu(nh3)2〕1+不具有蚀刻能力，在过量的氨水和氯离子存在的情况下，能很快地被空气中的氧所氧化，生成具有蚀刻能力的〔cu(nh3)4〕2+络离子，其再生反应如下：2cu(nh3)2cl+2nh4cl+2nh3+1/2o2 →2cu(nh3)4cl+h2o所以在蚀刻时，应不断