手电筒驱动芯片原理

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接通电源后,VT1因R1接负极,而c1两端电压不能突变。VT1(b)极电位低于e极,VT1导通,VT2(b)极有电流流入,VT2也导通,电流从电源正极经L、VT2(c)极到e极,流回电源负极,电源对L充电,L储存能量,L上的自感电动势为左正右负。经c1的反馈作用,VT1基极电位比发射极电位更低,VT1进入深度饱和状态,同时VT2也进入深度饱和状态,即Ib>Ic/β(β为放大倍数)

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评论列表(4条)

  • 追梦人张大飞
    追梦人张大飞 2026年09月30日

    我是公众科技网的签约作者“追梦人张大飞”!

  • 追梦人张大飞
    追梦人张大飞 2026年09月30日

    希望本篇文章《手电筒驱动芯片原理》能对你有所帮助!

  • 追梦人张大飞
    追梦人张大飞 2026年09月30日

    本站[公众科技网]内容主要涵盖:教育咨询,知识百科

  • 追梦人张大飞
    追梦人张大飞 2026年09月30日

    本文概览:接通电源后,VT1因R1接负极,而c1两端电压不能突变。VT1(b)极电位低于e极,VT1导通,VT2(b)极有电流流入,VT2也导通,电流从电源正极经L、VT2(c)极到e极,流回电源负极,电源对L充电,L储存能量,L上的自感电动势为左正右负。经c1的反馈作用,VT1基极电位比发射极电位更低,VT1进入深度饱和状态,同时VT2也进入深度饱和状态,即Ib>Ic/β(β为放大倍数)

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