问问题描述
答精选答案

一、指代不同
1、源极:简称场效应管。仅是由多数载流子参与导电,与双极型相反,也称为单极型晶体管。
2、漏极:利用外部电路的驱动能力,减少IC内部的驱动,或驱动比芯片电源电压高的负载。
二、原理不同
1、源极:在一块N型半导体材料的两边各扩散一个高杂质浓度的P型区(用P+表示),就形成两个不对称的P+N结。把两个P+区并联在一起,引出一个电极,称为栅极(g),在N型半导体的两端各引出一个电极。
2、漏极:将两个P区的引出线连在一起作为一个电极,称为栅极,在N型硅片两端各引出一个电极。
MOS管的定义:我们都在知道场效应管的结构是在一块N型半导体的两边利用杂质扩散出高浓度的P型区域,其用P+表示,形成两个P+N结。
答其他回答(1条)
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这个管子是N沟道MOS管,75伏75安最大300安.正常使用不能超过75伏.MOS管使用常识: 栅极悬空是不允许的,会击穿.
但在实际应用中,厂家一般在源极和漏极之间连接一个二极管,起保护作用,正是这个二极管决定了源极和漏极,这样,封装也就固定了,便于实用。
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希望本篇文章《mos管源极和漏极电压》能对你有所帮助!
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本文概览:一、指代不同1、源极:简称场效应管。仅是由多数载流子参与导电,与双极型相反,也称为单极型晶体管。2、漏极:利用外部电路的驱动能力,减少IC内部的驱动,或驱动比芯片电源电压高的负载。二、原理不同1、源极:在一块N型半导体材料的两边各扩散一个高杂质浓度的P型区(用P+表示),就形成两个不对称的P+N结。把两个P+区并联在一起,引出一个电极,称为栅极(g),在N型半导体的两端各引出一个电极。2、漏极:将两个P区的引出线连在一起作为一个电极,称为栅极,在N型硅片两端各引出一个电极。MOS管的定义:我们都在知道场效