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光电容效应是一种内光电效应,是指在外部光照下半导体或绝缘体物质的介电常数或电容常数发生变化的情况。一般情况下,绝大多数半导体或绝缘体的光电容变化不显著。
实验发现在较强辐射条件下或者某些特殊材料(如zns-cds、srtio3、有机聚合物)中,光致变容效应十分显著。
在精密电子仪器设中必须考虑光致变容的影响,需要对电容元件做必要的避光。与此同时光电容效应在光电领域也有着重要潜在应用。
光敏电容器是基于光致变电容效应原理的一种光电器件,通过调节光照改变其内部电容,从而实现对电路中电容的调控。
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本文概览:光电容效应是一种内光电效应,是指在外部光照下半导体或绝缘体物质的介电常数或电容常数发生变化的情况。一般情况下,绝大多数半导体或绝缘体的光电容变化不显著。实验发现在较强辐射条件下或者某些特殊材料(如zns-cds、srtio3、有机聚合物)中,光致变容效应十分显著。在精密电子仪器设中必须考虑光致变容的影响,需要对电容元件做必要的避光。与此同时光电容效应在光电领域也有着重要潜在应用。光敏电容器是基于光致变电容效应原理的一种光电器件,通过调节光照改变其内部电容,从而实现对电路中电容的调控。