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分为反向饱和电流和漏电流。反向饱和电流包括扩散电流和漂移电流。漏电流有产生复合，带带隧穿电流，陷阱辅助隧穿电流等。
采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结（英语：PN junction）。PN结具有单向导电性，是电子技术中许多器件所利用的特性，例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。
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本文概览：分为反向饱和电流和漏电流。反向饱和电流包括扩散电流和漂移电流。漏电流有产生复合，带带隧穿电流，陷阱辅助隧穿电流等。采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结（英语：PN junction）。PN结具有单向导电性，是电子技术中许多器件所利用的特性，例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。