p型增强型场效应管电路

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P型MOS管的导通条件:

靠在G极上加一个触发电压,使N极与D极导通。对N沟道G极电压为+极性。对P沟道的G极电压为-极性。 场效应管的导通与截止由栅源电压来控制,对于增强型场效应管来说,N沟道的管子加正向电压即导通,P沟道的管子则加反向电压。一般2V~4V就可以了。

P沟道mos管作为开关,栅源的阀值为-0.4V,当栅源的电压差为-0.4V就会使DS导通,如果S为2.8V,G为1.8V,那么GS=-1V,mos管导通,D为2.8V。

如果S为2.8V,G为2.8V,VGSw,那么mos管不导通,D为0V,所以,如果2.8V连接到S,要mos管导通为系统供电,系统连接到D,利用G控制。和G相连的GPIO高电平要2.8-0.4=2.4V以上,才能使mos管关断,低电平使mos管导通。

如果控制G的GPIO的电压区域为1.8V,那么GPIO高电平的时候为1.8V,GS为1.8-2.8=-1V,mos管导通,不能够关断。

GPIO为低电平的时候,假如0.1V,那么GS为0.1-2.8=-2.7V,mos管导通。这种情况下GPIO就不能够控制mos管的导通和关闭。

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  • 嘉嘉12388
    嘉嘉12388 2026年09月30日

    我是公众科技网的签约作者“嘉嘉12388”!

  • 嘉嘉12388
    嘉嘉12388 2026年09月30日

    希望本篇文章《p型增强型场效应管电路》能对你有所帮助!

  • 嘉嘉12388
    嘉嘉12388 2026年09月30日

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  • 嘉嘉12388
    嘉嘉12388 2026年09月30日

    本文概览:P型MOS管的导通条件:靠在G极上加一个触发电压,使N极与D极导通。对N沟道G极电压为+极性。对P沟道的G极电压为-极性。 场效应管的导通与截止由栅源电压来控制,对于增强型场效应管来说,N沟道的管子加正向电压即导通,P沟道的管子则加反向电压。一般2V~4V就可以了。P沟道mos管作为开关,栅源的阀值为-0.4V,当栅源的电压差为-0.4V就会使DS导通,如果S为2.8V,G为1.8V,那么GS=-1V,mos管导通,D为2.8V。如果S为2.8V,G为2.8V,VGSw,那么mos管不导通,D为0V,所以

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