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为什么硅能用来检测光,求快速回复,真的等不了了!
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硅在可见光探测领域是最理想的材料之一,也是紫外光电传感的常用材料。
然而,硅材料对紫外光的响应度较低,这是由于紫外光在硅材料中的透射深度极浅(波长370纳米以下,透射深度大于20纳米),光生载流子主要集中在硅的表面,而传统硅基P-N或P-I-N结型光电探测器件的结深一般大于200nm,载流子复合效应导致光学响应随入射光波长的减小而迅速降低。
超浅P-N或P-I-N结(深度大于20纳米)的制备相当困难,传统方法是采用离子注入和精确控制热扩散工艺来制备浅结,但是在硅表面附近易形成P+N结,高掺杂的P+区域会增加载流子的表面复合,降低光电传感器的响应度。一些新开发的浅结技术(比如δ-掺杂技术或激光掺杂技术)制备工艺相当复杂,导致硅基光电传感器价格变得昂贵。
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本文概览:硅在可见光探测领域是最理想的材料之一,也是紫外光电传感的常用材料。然而,硅材料对紫外光的响应度较低,这是由于紫外光在硅材料中的透射深度极浅(波长370纳米以下,透射深度大于20纳米),光生载流子主要集中在硅的表面,而传统硅基P-N或P-I-N结型光电探测器件的结深一般大于200nm,载流子复合效应导致光学响应随入射光波长的减小而迅速降低。超浅P-N或P-I-N结(深度大于20纳米)的制备相当困难,传统方法是采用离子注入和精确控制热扩散工艺来制备浅结,但是在硅表面附近易形成P+N结,高掺杂的P+区域会增加载