问问题描述
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答精选答案
是的，sic是直接带隙半导体。
sic是宽带隙半导体。
带隙：导带的最低点和价带的最高点的能量之差。也称能隙。带隙超过3ev的被认为是宽带隙半导体，例如GaN、SiN和ZnO，小于3ev的就是窄带隙。带隙越大，电子由价带被激发到导带越难，本征载流子浓度就越低，电导率也就越低。
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本文概览：是的，sic是直接带隙半导体。sic是宽带隙半导体。带隙：导带的最低点和价带的最高点的能量之差。也称能隙。带隙超过3ev的被认为是宽带隙半导体，例如GaN、SiN和ZnO，小于3ev的就是窄带隙。带隙越大，电子由价带被激发到导带越难，本征载流子浓度就越低，电导率也就越低。