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物理气相传输法(pvt法)制备半导体单晶材料的工艺过程是一个升华凝华过程,也是热量、质量和动力的输运过程,通过调节单晶炉温场分布、生长气压、载气流量等参数,降低内部缺陷和杂质元素,最终制备出高质量的半导体单晶材料。
碳化硅(sic)或氮化铝(aln)单晶材料具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移速率大、临界击穿电场高、介电常数低、化学稳定性好等优点,被认为是制造光电子器件、高频大功率器件、电力电子器件理想的半导体材料。
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本文概览:物理气相传输法(pvt法)制备半导体单晶材料的工艺过程是一个升华凝华过程,也是热量、质量和动力的输运过程,通过调节单晶炉温场分布、生长气压、载气流量等参数,降低内部缺陷和杂质元素,最终制备出高质量的半导体单晶材料。碳化硅(sic)或氮化铝(aln)单晶材料具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移速率大、临界击穿电场高、介电常数低、化学稳定性好等优点,被认为是制造光电子器件、高频大功率器件、电力电子器件理想的半导体材料。