问问题描述
答精选答案
厚。
AZ光刻胶特点：
适用于高分辨率工艺（lift-off工艺）
适用于正/负图形
很宽的膜厚范围
AZ光刻胶工艺条件：
前烘：100℃ 60秒 (DHP)
曝光：1线步进式曝光机/接触式曝光机
反转烘烤：110~125℃ 90秒（DHP）：去离子水30秒
全面曝光：310~405nm(在曝光光源下全面照射)
显影：AZ300MIF显影液 (2.38%) 23℃ 30~60秒 Puddle
AZ Developer(1：
1)23℃ 60秒Dipping
AZ 400K(1:4)23℃ 60秒Dipping
清洗：去离子水30秒
后烘：120℃ 120秒（DHP）
剥离：AZ剥离液及/或氧等离子体灰化
AZ光刻胶刻蚀厚度从1μm到150μm以及更厚。高感光度,高产出率；高附着性,特别为湿法刻蚀工艺改进；广泛应用于全球半导体行业。
光刻胶产品型号及参数
光刻胶名称 型号 匀胶厚度
Merck AZ 正/负可转换型光刻胶 AZ 5214 0.5-6um
AZ 50XT 正胶 AZ 50XT 40-80um
AZ 9260 正胶 AZ 9260 6.2-15um
AZ 4620 光刻胶 AZ 4620 10-15um
MicroChem SU-8 负胶 SU-8 2015 13-38um
MicroChem SU-8 负胶 SU-8 2050 40-170um
MicroChem SU-8 负胶 SU-8 2075 60-240um
MicroChem SU-8 负胶 SU-8 2150 190-650um
MicroChem SU-8 负胶 SU-8 3010 8-15um
MicroChem SU-8 负胶 SU-8 3050 44-100um
AZ光刻胶其他参数及说明：
答其他回答（2条）
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举目不见八月长安雪
2026-09-30 10:26:52
关于这个问题，以下是az1500光刻胶的一些常用工艺参数：
1. 光刻胶厚度：通常为0.5-2μm。
2. 烘烤温度和时间：在烘烤前应首先进行预热，常见预热温度为90℃，时间为5-10分钟。然后进行主烘烤，常见温度为115-120℃，时间为30-60秒。
3. 硬化剂比例：常用的硬化剂为MEHQ（甲醛己醇），通常添加量为1-2%。
4. 紫外光曝光时间和能量：曝光时间和能量与光刻胶的厚度和型号有关，一般需要根据实际情况进行调整。常见的紫外光曝光能量为100-200mJ/cm²，曝光时间为5-30秒。
5. 显影液：常用的显影液为1:4的2-丙酮和异丙醇混合物。显影时间一般为30秒至1分钟，根据光刻胶厚度和型号进行调整。
6. 清洗：清洗时通常使用去离子水或甲醇进行清洗。
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举目不见八月长安雪
2026-09-30 10:26:52
az1500光刻胶的工艺参数包括曝光时间、曝光能量、显影时间和显影液浓度等。其中，曝光时间和曝光能量需要根据具体的曝光设备和光刻胶厚度来确定，一般需要进行实验优化；显影时间和显影液浓度则需要根据样品的要求和光刻胶的特性来选择。在进行的选择时，需要综合考虑样品的要求、设备的性能和光刻胶的特性，进行实验优化以得到最佳的工艺参数。
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评论列表（4条）
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希望本篇文章《az1500光刻胶工艺参数》能对你有所帮助！
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本文概览：厚。AZ光刻胶特点：适用于高分辨率工艺（lift-off工艺）适用于正/负图形很宽的膜厚范围AZ光刻胶工艺条件：前烘：100℃ 60秒 (DHP)曝光：1线步进式曝光机/接触式曝光机反转烘烤：110~125℃ 90秒（DHP）：去离子水30秒全面曝光：310~405nm(在曝光光源下全面照射)显影：AZ300MIF显影液 (2.38%) 23℃ 30~60秒 Puddle AZ Developer(1：1)23℃ 60秒DippingAZ 400K(1:4)23℃ 60秒Dipping清洗：去离子水30秒