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P沟道增强型场效应管导通条件，求大佬施舍一个解决方案，感激不尽！
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P沟道增强型场效应管的导通条件是栅极电位低于漏极电位。栅极电位比漏极电位低得越多，就越趋于导通。一般低于漏极电位15V就可以完全导通。压差太大就会形成栅极击穿。想关闭就要把栅极电位拉回漏极。结型场效应管只有（耗尽型）；MOS管有（增强型）和（耗尽型）。
增强型：就是UGS=0V时漏源极之间没有导电沟道，只有当UGS>开启电压(N沟道)或UGS<开启电压(P沟道)才可能出现导电沟道。
耗尽型：就是UGS=0V时,漏源极之间存在导电沟道。
答其他回答（2条）
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贾贾贾贾贾斯帕Jasper
2026-09-30 10:26:28
场效应管的导通条件为VGS的电压，而非G极电压，如果用P沟道的MOS，S级需要接比G极高的电压。流过电流的大小可通过限流，稳压控制，用单片机控制场效应管我建议还是用N沟道的MOS比较好，因为单片机控制低电平控制PMOS时，S极的电压只要只要大于0V，容易使MOS导通。
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贾贾贾贾贾斯帕Jasper
2026-09-30 10:26:28
P沟道增强型场效应管的导通条件是栅极电位越低于漏极电位，就越趋于导通。一般低于漏极电位15V就可以完全导通。压差太大就会形成栅极击穿。想关闭就要把栅极电位拉回漏极。
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评论列表（4条）
我是公众科技网的签约作者“杨冰阳2011”！
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本文概览：P沟道增强型场效应管的导通条件是栅极电位低于漏极电位。栅极电位比漏极电位低得越多，就越趋于导通。一般低于漏极电位15V就可以完全导通。压差太大就会形成栅极击穿。想关闭就要把栅极电位拉回漏极。结型场效应管只有（耗尽型）；MOS管有（增强型）和（耗尽型）。增强型：就是UGS=0V时漏源极之间没有导电沟道，只有当UGS>开启电压(N沟道)或UGS<开启电压(P沟道)才可能出现导电沟道。耗尽型：就是UGS=0V时,漏源极之间存在导电沟道。