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是6纳米
UFS 3.1是3.0的优化版,最直观的速度方面是达到了UFS 2.1的两倍,而且相比较主要改善效能存取与省电性能。
UFS 3.1与3.0版本不同的部分包括:
写入增强器(Write Booster)技术:在符合UFS 3.1标准的设备上,引入一个SLC非易失性缓存,从而进一步提高写入速度。
深度睡眠(Deep Sleep)技术:在存储器没有读写动作时,进入深层睡眠模式,从而达到最低耗电量,并且耗电量比UFS3.0 hibernate更低30~50%,可以利用reset 或重新起电叫醒UFS。
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6纳米。
新一代骁龙775G的定位明显提高,公版测试平台的存储组合为12GB LPDDR5内存和256GB UFS 3.1闪存,其存储性能已达目前顶级水准,并支持120Hz高刷新率屏。
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本文概览:是6纳米UFS 3.1是3.0的优化版,最直观的速度方面是达到了UFS 2.1的两倍,而且相比较主要改善效能存取与省电性能。UFS 3.1与3.0版本不同的部分包括:写入增强器(Write Booster)技术:在符合UFS 3.1标准的设备上,引入一个SLC非易失性缓存,从而进一步提高写入速度。深度睡眠(Deep Sleep)技术:在存储器没有读写动作时,进入深层睡眠模式,从而达到最低耗电量,并且耗电量比UFS3.0 hibernate更低30~50%,可以利用reset 或重新起电叫醒UFS。