问问题描述
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答精选答案
计算公式为：
Cox = εox / tox
其中，Cox为MOS电容，εox为氧化层介电常数，tox为氧化层厚度。
需要注意的是，该公式只适用于理想的MOS结构，实际情况下可能会受到多种因素的影响，如表面粗糙度、界面态等，因此实际计算时需要考虑更多的因素。
答其他回答（1条）
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嘉欣姓江（提问者）
2026-09-30 10:23:10
代表了氧化层相当于结电容的介质,根据平板电容容量的公式Cj=εS/d,d是介质的厚度,可以看出结电容容量跟介质厚度成反比,氧化层越薄电容量越大,相同栅极电压存储的电荷Qg=CV也就越多 .
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本文概览：计算公式为：Cox = εox / tox其中，Cox为MOS电容，εox为氧化层介电常数，tox为氧化层厚度。需要注意的是，该公式只适用于理想的MOS结构，实际情况下可能会受到多种因素的影响，如表面粗糙度、界面态等，因此实际计算时需要考虑更多的因素。