问问题描述
可控硅开关和复合开关的区别，有没有大佬在？求高手帮忙看看这个！
答精选答案
电力电容器组装成无功补偿柜，有多种投切方式，接触器的，复合开关的，可控硅的。接触器由于触点拉弧严重，损坏率高，一般在稳定负载上用还可以；复合开关的质量大多寿命很短，因为里面的插片式可控硅耐压低，800~1000V，（MTC型可控硅模块耐压1600V），所以损坏率高，现在的“复合开关”都变种了，把插片可控硅取消了，只用磁保持继电器的触点来投切电容器，所以说，质量很差；可控硅做无触点开关，里面要求精准过零电路触发才符合技术要求，但是大多采用自触发，或光耦触发，技术不完善，自身都带着病，很难胜任投切电容器的任务。不知你说的熔断器是哪一种投切方式的柜体。
电容器柜的熔断器烧毁的根本原因是电容器切除时的过电压和非精准过零电路的弧光能量造成的，快速熔断器烧的更多，一般熔断器少些。熔断器的爆炸是非常危险的，瓷片飞出会伤到人。
消除掉电容器切除时的高达2000V的过电压，才能保证电容器柜寿命长久，否则电容器也会因高电压的冲击很快自愈而失容失效。如果消除掉过电压，不设熔断器也可以。
消除过电压的技术就是采用脉冲变压器触发的编程控制的精准过零电路，在加上动态放电技术的保护电路。这样就基本取消了熔断器，只用空气开关即可。
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本文概览：电力电容器组装成无功补偿柜，有多种投切方式，接触器的，复合开关的，可控硅的。接触器由于触点拉弧严重，损坏率高，一般在稳定负载上用还可以；复合开关的质量大多寿命很短，因为里面的插片式可控硅耐压低，800~1000V，（MTC型可控硅模块耐压1600V），所以损坏率高，现在的“复合开关”都变种了，把插片可控硅取消了，只用磁保持继电器的触点来投切电容器，所以说，质量很差；可控硅做无触点开关，里面要求精准过零电路触发才符合技术要求，但是大多采用自触发，或光耦触发，技术不完善，自身都带着病，很难胜任投切电容器的任务