问问题描述
mos结构电荷存储原理，有没有人理理我？急需求助！
答精选答案
埋沟电容是在一个p-型衬底上建造的;在p-型衬底表面上形成一个n-型区(~1μm厚);然后，生长出一层薄的二氧化硅(~0.1μm厚);再在二氧化硅层上用金属或高掺杂的多晶硅制作电极或栅极;至此完成了MOS电容的制作。
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本文概览：埋沟电容是在一个p-型衬底上建造的;在p-型衬底表面上形成一个n-型区(~1μm厚);然后，生长出一层薄的二氧化硅(~0.1μm厚);再在二氧化硅层上用金属或高掺杂的多晶硅制作电极或栅极;至此完成了MOS电容的制作。