问问题描述
mos管的宽长比有什么影响，跪求大佬救命，卡在这里动不了了！
答精选答案
宽长比是 MOS 管的导电沟道的宽与长的比，宽长比越大，MOS 管的 Id 就越大，也就是宽长比与 Id 成正比。
如果只是用来做驱动的话，根据负载能力确定宽长比。如果前级的驱动能力较小，同时有要求较高的速度，建议该级长和宽取小点。如果是用来驱动后一级电路，宽长比主要看后级负载大小，负载大，宽长比大，比如说后面有很长的数据线或者接了很多的负载。一般来说，nmos管的宽长比为pmos的1/3。
mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
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本文概览：宽长比是 MOS 管的导电沟道的宽与长的比，宽长比越大，MOS 管的 Id 就越大，也就是宽长比与 Id 成正比。如果只是用来做驱动的话，根据负载能力确定宽长比。如果前级的驱动能力较小，同时有要求较高的速度，建议该级长和宽取小点。如果是用来驱动后一级电路，宽长比主要看后级负载大小，负载大，宽长比大，比如说后面有很长的数据线或者接了很多的负载。一般来说，nmos管的宽长比为pmos的1/3。mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘