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HJT全称Heterojunction with Intrinsic Thin Layer,也被称为HIT,中文名为本征薄膜异质结。HJT电池为对称双面电池结构,中间为N型晶体硅,然后在正面依次沉积本征非晶硅薄膜和P型非晶硅薄膜,形成P-N结。而硅片背面则依次沉积本征非晶硅薄膜和N型非晶硅薄膜形成背表面场。而由于非晶硅的导电性比较差,因此在电池两侧沉积透明导电薄膜(TCO)来进行导电,最后采用丝网印刷技术形成双面电极。
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本文概览:HJT全称Heterojunction with Intrinsic Thin Layer,也被称为HIT,中文名为本征薄膜异质结。HJT电池为对称双面电池结构,中间为N型晶体硅,然后在正面依次沉积本征非晶硅薄膜和P型非晶硅薄膜,形成P-N结。而硅片背面则依次沉积本征非晶硅薄膜和N型非晶硅薄膜形成背表面场。而由于非晶硅的导电性比较差,因此在电池两侧沉积透明导电薄膜(TCO)来进行导电,最后采用丝网印刷技术形成双面电极。