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3DG6管参数，在线蹲一个救命答案，感谢！
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3DG6硅NPN型小功率高频三极管参数如下:
耗散总功率Ptot=100mW (Tamb=25℃)，最大集电极电流ICM=20mA最高结温TJM=175℃。
集电极-基极反向击穿电压BVCBO： (IC=100μA)。
集电极-发射极反向击穿电压BVCEO： (IC=100μA)。
发射极-基极反向击穿电压BVEBO≥4V (IE=100μA)，集电极-发射极饱和压降VCE(sat)≤0.35V (IC=10mA; IB=1mA)。基极-发射极饱和压降VBE(sat)≤1.1V (IC=10mA; IB=1mA)，集电极-基极反向漏电流ICBO≤10nA (VCB=10V)，集电极-发射极反向漏电流ICEO≤10nA (VCE=10V)，发射极-基极反向漏电流IEBO≤10nA (VEB=2V)，直流电流放大倍数HFE≥30。
特性频率fT：100～250MHz。
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本文概览：3DG6硅NPN型小功率高频三极管参数如下:耗散总功率Ptot=100mW (Tamb=25℃)，最大集电极电流ICM=20mA最高结温TJM=175℃。集电极-基极反向击穿电压BVCBO： (IC=100μA)。集电极-发射极反向击穿电压BVCEO： (IC=100μA)。发射极-基极反向击穿电压BVEBO≥4V (IE=100μA)，集电极-发射极饱和压降VCE(sat)≤0.35V (IC=10mA; IB=1mA)。基极-发射极饱和压降VBE(sat)≤1.1V (IC=10mA; IB=1mA)